如何配置 BIOS 2021-10-19之二, 从 u/b > 磁盘 2021-10-19-Bisos 的 b&g

超过 1MB 的计量测试: 在配置自我检查时是否检测到超过 1M 的内存 。 这个选项已经在新的 BIOS 中被淘汰 。 由于内存价格大幅下降, 计算机用户安装内存能力已大幅扩展, 大容量的内存自我检查已经太长了, 甚至将来还可能允许进行单一的内存测试/ 残疾 。

自动配置: 当设定为允许时, BIOS 配置为最佳状态。 因为 BIOS 可能自动设置内存计时, 对内存设置的某些修改受到限制, 并且更倾向于允许的方法 。

MemoryTickSound: 您是否有自选的滴答声音? 如果有的话, 您可以关闭它 。

内存错误检查 : 是否设置内存娃娃检查 。 在30行的记忆年代, 大部分已经淘汰了它 。 但是, 对非非职业性检查的内存进行随机检查会禁止计算机打开 。

缓存存储器控制器 : 确定是否使用高速缓存 。 流行的奖状中未使用此选项 。

ShadowRaMoop: 配置系统 BIOS 或检查是否将 Card BIOS 映射为常规内存。 这可能会加速事情, 但也可能导致崩溃 。

内部缓存模式 : 指定是否应该使用 CPU 的内部缓存( 一级缓存) 。 系统性能可以改进 。

外部缓存模式 : 是否使用 CPU 外部缓存( 主板上的第二层缓存) 。 系统性能可以改进 。 AMD 引入一个新的具有双层缓存的CPU 导致主板第二层缓存的三层退缩 。

同时更新:直接翻译是一个同步的复习器。 允许 CPU 在做其它 I/ O 活动时刷新记忆可以提高总体性能 。

DRAMRead 等待状态 : 配置 CPU 读取内存数据的等待时钟周期。 如果内存比 CPU 慢, 额外的等待可以配置 。

DramWrite 等候状态 : 配置 CPU 将数据写入内存的等待时钟周期 。 如果内存比 CPU 慢, 额外的等待可以配置 。

缓慢重现:如果有高质量的内存,数据可以保持较长的时间长度,从而能够设定较长的时间期限,从而提高系统业绩。

阴影可缓存: BIOSROM 绘制常规内存地图, 扩展高速缓存, 改善总体性能 。

内存可以用 PageMode 或 Page Interleftd 模式工作 。

RASTIMeOutCounter: 在 PageMode 或 Page Interleepd 模式中更快地工作。 由于存储RAS 周期可能会超过, RAS 周期会受到一个计数器的监测, 当RAS 周期超过 RAS 周期时自动返回为零 。

内存重新定位: 内存重新定位。 来自上MemoryBlock 的数据存储在一个大于 1MB 的扩展内存中 。

内存洞: 有些被称为内存洞。 内存地址区域 15MB-16MB 分配给一些特殊ISA 扩展卡片, 这些卡片可以加速卡片的工作或防止冲突。 除非ISA 扩展卡片有特定描述, 它通常被设为禁卡 。

DRMATIGSSettingSettingSettingSettingSettingSettingSetting:快速内存或EDO内存速度设置,通常为60牛顿或70牛顿,对速度为10牛顿或10牛顿以上的SDRAM内存无效。

配置内存地址( 备忘录地址) 和内存地址( 内存地址) 与内存地址( 内存地址) 之间的延迟, 以便使用 FastMatoRASDelay 触发信号( RAS ) 。

DramWriteBlustTimming: CPU 将数据写成存储延迟, 然后再写成高速缓存 。

FastRASTOCASDelay: 触发信号的直线地址和触发信号的列地址之间的时间。 通常是RAS # 和 CAS # 下降之间的时间 。

DramLead-OnTimming: CPU读取/写内存前的时间长度 。

Drams投机读取:一旦启用,读取记忆的时间周期比通常提前,从而改善了系统性能。

DRAMDataIntrolityMode: 选择内存检查是均等还是ECC 。

刷新RASAsertion: 设置行的内存以刷新时间周期, 使高质量的内存能够过迟更新, 从而提高系统效率 。

预先充电记录和档案管理地址信号所需的时间。

FastEdopathSect: 系统可以通过快速选择读/写到 EDO 内存的方法加以改进。

SDRAMRASLATIONE:界定SDRAM线地址与列地址之间的时间间隔。

SDRAMRAStiming: 配置系统,使SDRAM内存的线地址被触发,即调整时间

平行系统改进,高速缓存或内存或内存或PCI装置的CPU操作,或PCI外围的PCI总控制信号等,是同侪通货法的范例。系统越聪明,与CPU并行运行越多,性能就越好。